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2SK879-Y(TE85L,F)

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Artikelnummer	2SK879-Y(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK879-Y(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - JFETs
Beschreibung	JFET N-CH 0.1W USM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SK879-Y(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SK879-Y(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	2SK879-Y(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - JFETs
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Spannung - Durchbruch (v(br)gss):	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):	1.2 mA @ 10 V
Stromaufnahme (id) - max:	-
Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:	400 mV @ 100 nA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	8.2pF @ 10V
Widerstand - rds(on):	-
Leistung max:	100 mW
Betriebstemperatur:	125°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten:	USM

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