SGP6N60UFDTU | Rochester Electronics SGP6N60UFDTU | SGP6N60UFDTU Inventory, Best Pricing

SGP6N60UFDTU

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SGP6N60UFDTU
LIXINC Part #	SGP6N60UFDTU
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	N-CHANNEL IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SGP6N60UFDTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SGP6N60UFDTU Spezifikationen

Artikelnummer:	SGP6N60UFDTU
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	6 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	25 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.6V @ 15V, 3A
Leistung max:	30 W
Schaltenergie:	57µJ (on), 25µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	15 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	15ns/60ns
Testbedingung:	300V, 3A, 80Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	52 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3