FGB20N6S2 | Rochester Electronics FGB20N6S2 | FGB20N6S2 Inventory, Best Pricing

FGB20N6S2

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FGB20N6S2
LIXINC Part #	FGB20N6S2
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	N-CHANNEL IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGB20N6S2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FGB20N6S2 Spezifikationen

Artikelnummer:	FGB20N6S2
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	28 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 7A
Leistung max:	125 W
Schaltenergie:	25µJ (on), 58µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	30 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	7.7ns/87ns
Testbedingung:	390V, 7A, 25Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB