IKW50N65ET7XKSA1

IKW50N65ET7XKSA1
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Artikelnummer IKW50N65ET7XKSA1
LIXINC Part # IKW50N65ET7XKSA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IKW50N65ET7XKSA1
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IKW50N65ET7XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IKW50N65ET7XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IKW50N65ET7XKSA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):150 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.65V @ 15V, 50A
Leistung max:273 W
Schaltenergie:1.2mJ (on), 850µJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:290 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:26ns/350ns
Testbedingung:400V, 50A, 9Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):93 ns
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO247-3

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