HGTD1N120BNS9A | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

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Artikelnummer	HGTD1N120BNS9A
LIXINC Part #	HGTD1N120BNS9A
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HGTD1N120BNS9A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HGTD1N120BNS9A Spezifikationen

Artikelnummer:	HGTD1N120BNS9A
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	5.3 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
Leistung max:	60 W
Schaltenergie:	70µJ (on), 90µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	14 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	15ns/67ns
Testbedingung:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252AA

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