HGT1S7N60C3DS9A | Rochester Electronics HGT1S7N60C3DS9A | HGT1S7N60C3DS9A Inventory, Best Pricing

HGT1S7N60C3DS9A

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Artikelnummer	HGT1S7N60C3DS9A
LIXINC Part #	HGT1S7N60C3DS9A
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HGT1S7N60C3DS9A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HGT1S7N60C3DS9A Spezifikationen

Artikelnummer:	HGT1S7N60C3DS9A
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	14 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	56 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 7A
Leistung max:	60 W
Schaltenergie:	165µJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	23 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	480V, 7A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	37 ns
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB

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