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FGH30N120FTDTU

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Artikelnummer	FGH30N120FTDTU
LIXINC Part #	FGH30N120FTDTU
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	N-CHANNEL IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGH30N120FTDTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FGH30N120FTDTU Spezifikationen

Artikelnummer:	FGH30N120FTDTU
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 30A
Leistung max:	339 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	208 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	730 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3

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