VS-GB75LA60UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GB75LA60UF

VS-GB75LA60UF

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Artikelnummer	VS-GB75LA60UF
LIXINC Part #	VS-GB75LA60UF
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-GB75LA60UF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-GB75LA60UF Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-GB75LA60UF
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT
Aufbau:	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	109 A
Leistung max:	447 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	50 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	-
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-227