APTGV50H120T3G

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Artikelnummer	APTGV50H120T3G
LIXINC Part #	APTGV50H120T3G
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APTGV50H120T3G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APTGV50H120T3G Spezifikationen

Artikelnummer:	APTGV50H120T3G
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Microsemi
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT, Trench Field Stop
Aufbau:	Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	75 A
Leistung max:	270 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	3.6 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SP3
Gerätepaket des Lieferanten:	SP3

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