F475R07W1H3B11ABOMA1 | Rochester Electronics F475R07W1H3B11ABOMA1 | F475R07W1H3B11ABOMA1 Inventory, Best Pricing

F475R07W1H3B11ABOMA1

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Artikelnummer	F475R07W1H3B11ABOMA1
LIXINC Part #	F475R07W1H3B11ABOMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	F475R07 - AUTOMOTIVE IGBT MODULE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	F475R07W1H3B11ABOMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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F475R07W1H3B11ABOMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	F475R07W1H3B11ABOMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	-
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Leistung max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Eingangskapazität (cies) @ vce:	-
Eingang:	-
NTC-Thermistor:	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-