DF200R12W1H3B27BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1 | DF200R12W1H3B27BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF200R12W1H3B27BOMA1

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Artikelnummer	DF200R12W1H3B27BOMA1
LIXINC Part #	DF200R12W1H3B27BOMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 30A 375W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DF200R12W1H3B27BOMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DF200R12W1H3B27BOMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	DF200R12W1H3B27BOMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Leistung max:	375 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.3V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	2 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module