A1P50S65M2-F

A1P50S65M2-F
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Artikelnummer A1P50S65M2-F
LIXINC Part # A1P50S65M2-F
Hersteller STMicroelectronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - Module
Beschreibung IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle A1P50S65M2-F PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A1P50S65M2-F Spezifikationen

Artikelnummer:A1P50S65M2-F
Marke:STMicroelectronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - Module
Hersteller:STMicroelectronics
Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Aufbau:Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
Leistung max:208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):100 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:4.15 nF @ 25 V
Eingang:Standard
NTC-Thermistor:Yes
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Paket / Koffer:Module
Gerätepaket des Lieferanten:ACEPACK™ 1

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