F4100R12KS4BOSA1 | IR (Infineon Technologies) F4100R12KS4BOSA1 | F4100R12KS4BOSA1 Inventory, Best Pricing

F4100R12KS4BOSA1

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Artikelnummer	F4100R12KS4BOSA1
LIXINC Part #	F4100R12KS4BOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 130A 660W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	F4100R12KS4BOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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F4100R12KS4BOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	F4100R12KS4BOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	130 A
Leistung max:	660 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.75V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	5 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	6.8 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module