2PS18012E44G40113NOSA1 | IR (Infineon Technologies) 2PS18012E44G40113NOSA1 | 2PS18012E44G40113NOSA1 Inventory, Best Pricing

2PS18012E44G40113NOSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	2PS18012E44G40113NOSA1
LIXINC Part #	2PS18012E44G40113NOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 2560A 5600W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2PS18012E44G40113NOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

2PS18012E44G40113NOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	2PS18012E44G40113NOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	PrimeSTACK™
Paket:	Tray
Teilstatus:	Not For New Designs
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	2560 A
Leistung max:	5600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Eingangskapazität (cies) @ vce:	-
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 60°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module