NXH35C120L2C2ESG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2ESG

NXH35C120L2C2ESG

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Artikelnummer	NXH35C120L2C2ESG
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2ESG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NXH35C120L2C2ESG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NXH35C120L2C2ESG Spezifikationen

Artikelnummer:	NXH35C120L2C2ESG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	35 A
Leistung max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	8.333 nF @ 20 V
Eingang:	Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Gerätepaket des Lieferanten:	26-DIP