FP35R12W2T4B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FP35R12W2T4B11BOMA1 | FP35R12W2T4B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FP35R12W2T4B11BOMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FP35R12W2T4B11BOMA1
LIXINC Part #	FP35R12W2T4B11BOMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 54A 215W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FP35R12W2T4B11BOMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FP35R12W2T4B11BOMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FP35R12W2T4B11BOMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	54 A
Leistung max:	215 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	2 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module