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A1P50S65M2

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Artikelnummer	A1P50S65M2
LIXINC Part #	A1P50S65M2
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	A1P50S65M2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

A1P50S65M2 Spezifikationen

Artikelnummer:	A1P50S65M2
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Leistung max:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	4150 pF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	ACEPACK™ 1