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FS50R12W2T7B11BOMA1

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Artikelnummer	FS50R12W2T7B11BOMA1
LIXINC Part #	FS50R12W2T7B11BOMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 50A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FS50R12W2T7B11BOMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FS50R12W2T7B11BOMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FS50R12W2T7B11BOMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	EasyPACK™
Paket:	Box
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Leistung max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.5V @ 15V, 50A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max):	7.9 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	11.1 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module