FZ1200R17HP4B2BOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1200R17HP4B2BOSA2 | FZ1200R17HP4B2BOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1200R17HP4B2BOSA2

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Artikelnummer	FZ1200R17HP4B2BOSA2
LIXINC Part #	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FZ1200R17HP4B2BOSA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FZ1200R17HP4B2BOSA2 Spezifikationen

Artikelnummer:	FZ1200R17HP4B2BOSA2
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Aufbau:	Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	1200 A
Leistung max:	7800 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.25V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	5 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	97 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module