STP4NB100

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Artikelnummer STP4NB100
LIXINC Part # STP4NB100
Hersteller STMicroelectronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle STP4NB100 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STP4NB100 Spezifikationen

Artikelnummer:STP4NB100
Marke:STMicroelectronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:STMicroelectronics
Serie:PowerMESH™
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):1000 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:4.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):125W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
Paket / Koffer:TO-220-3

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