SI3433BDV-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI3433BDV-T1-E3 | SI3433BDV-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI3433BDV-T1-E3

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SI3433BDV-T1-E3
LIXINC Part #	SI3433BDV-T1-E3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI3433BDV-T1-E3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SI3433BDV-T1-E3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI3433BDV-T1-E3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.3A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	42mOhm @ 5.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	850mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6