SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7703EDN-T1-GE3 | SI7703EDN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7703EDN-T1-GE3

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Artikelnummer	SI7703EDN-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7703EDN-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI7703EDN-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI7703EDN-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI7703EDN-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.3A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	48mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 800µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.):	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer:	PowerPAK® 1212-8