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CSD16323Q3C

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Artikelnummer	CSD16323Q3C
LIXINC Part #	CSD16323Q3C
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD16323Q3C PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CSD16323Q3C Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD16323Q3C
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	21A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	3V, 8V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	+10V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 12.5 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SON-EP (3x3)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN