IRF5805 | IR (Infineon Technologies) IRF5805 | IRF5805 Inventory, Best Pricing

IRF5805

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRF5805
LIXINC Part #	IRF5805
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF5805 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRF5805 Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF5805
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	98mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	511 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	Micro6™(TSOP-6)
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6