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PMN23UN,165

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Artikelnummer	PMN23UN,165
LIXINC Part #	PMN23UN,165
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMN23UN,165 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PMN23UN,165 Spezifikationen

Artikelnummer:	PMN23UN,165
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10.6 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	740 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.75W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-TSOP
Paket / Koffer:	SC-74, SOT-457