IRFB17N20D | IR (Infineon Technologies) IRFB17N20D | IRFB17N20D Inventory, Best Pricing

IRFB17N20D

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRFB17N20D
LIXINC Part #	IRFB17N20D
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFB17N20D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRFB17N20D Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFB17N20D
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	170mOhm @ 9.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.8W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3