STB30NM50N | STMicroelectronics STB30NM50N | STB30NM50N Inventory, Best Pricing

STB30NM50N

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	STB30NM50N
LIXINC Part #	STB30NM50N
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STB30NM50N PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

STB30NM50N Spezifikationen

Artikelnummer:	STB30NM50N
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	MDmesh™ II
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	500 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	27A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	115mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	94 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2740 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	190W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB