SSM6J53FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J53FE(TE85L,F) | SSM6J53FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM6J53FE(TE85L,F)

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Artikelnummer	SSM6J53FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM6J53FE(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM6J53FE(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM6J53FE(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM6J53FE(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 2.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	136mOhm @ 1A, 2.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10.6 nC @ 4 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	568 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	500mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	ES6 (1.6x1.6)
Paket / Koffer:	SOT-563, SOT-666