SPD07N60C3T

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Artikelnummer SPD07N60C3T
LIXINC Part # SPD07N60C3T
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle SPD07N60C3T PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPD07N60C3T Spezifikationen

Artikelnummer:SPD07N60C3T
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:CoolMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 350µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:790 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):83W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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