RJK0601DPN-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK0601DPN-E0#T2 | RJK0601DPN-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK0601DPN-E0#T2

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Artikelnummer	RJK0601DPN-E0#T2
LIXINC Part #	RJK0601DPN-E0#T2
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK0601DPN-E0#T2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJK0601DPN-E0#T2 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK0601DPN-E0#T2
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	110A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	141 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	10000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	200W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3