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RJK0301DPB-WS#J0

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Artikelnummer	RJK0301DPB-WS#J0
LIXINC Part #	RJK0301DPB-WS#J0
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK0301DPB-WS#J0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJK0301DPB-WS#J0 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK0301DPB-WS#J0
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	60A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (max):	+16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	65W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	5-LFPAK
Paket / Koffer:	SC-100, SOT-669