BSS192PE6327T | IR (Infineon Technologies) BSS192PE6327T | BSS192PE6327T Inventory, Best Pricing

BSS192PE6327T

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BSS192PE6327T
LIXINC Part #	BSS192PE6327T
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSS192PE6327T PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 24 - Sep 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BSS192PE6327T Spezifikationen

Artikelnummer:	BSS192PE6327T
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	250 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	190mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.8V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6.1 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	104 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT89
Paket / Koffer:	TO-243AA