PHT8N06LT,135 | NXP Semiconductors PHT8N06LT,135 | PHT8N06LT,135 Inventory, Best Pricing

PHT8N06LT,135

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Artikelnummer	PHT8N06LT,135
LIXINC Part #	PHT8N06LT,135
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PHT8N06LT,135 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 04 - Jul 08 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PHT8N06LT,135 Spezifikationen

Artikelnummer:	PHT8N06LT,135
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.2 nC @ 5 V
vgs (max):	±13V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	650 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-223
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA