IRF100P218AKMA1 | IR (Infineon Technologies) IRF100P218AKMA1 | IRF100P218AKMA1 Inventory, Best Pricing

IRF100P218AKMA1

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Artikelnummer	IRF100P218AKMA1
LIXINC Part #	IRF100P218AKMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF100P218AKMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 01 - Jul 05 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF100P218AKMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF100P218AKMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	StrongIRFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	209A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.28mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 278µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	412 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	24000 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.8W (Ta), 556W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3