FDB7030L_L86Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB7030L_L86Z

FDB7030L_L86Z

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Artikelnummer	FDB7030L_L86Z
LIXINC Part #	FDB7030L_L86Z
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDB7030L_L86Z PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FDB7030L_L86Z Spezifikationen

Artikelnummer:	FDB7030L_L86Z
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2440 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	68W (Tc)
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB