IRF1902GTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF1902GTRPBF | IRF1902GTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF1902GTRPBF

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Artikelnummer	IRF1902GTRPBF
LIXINC Part #	IRF1902GTRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF1902GTRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF1902GTRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF1902GTRPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	310 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)