APT10M09B2VFRG | Microsemi APT10M09B2VFRG | APT10M09B2VFRG Inventory, Best Pricing

APT10M09B2VFRG

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Artikelnummer	APT10M09B2VFRG
LIXINC Part #	APT10M09B2VFRG
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT10M09B2VFRG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

APT10M09B2VFRG Spezifikationen

Artikelnummer:	APT10M09B2VFRG
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Microsemi
Serie:	POWER MOS V®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	350 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9875 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	625W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant