IPB048N06LGATMA1

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Artikelnummer IPB048N06LGATMA1
LIXINC Part # IPB048N06LGATMA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IPB048N06LGATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPB048N06LGATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IPB048N06LGATMA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:225 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:7600 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):300W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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