NTLJS1102PTBG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJS1102PTBG

NTLJS1102PTBG

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Artikelnummer	NTLJS1102PTBG
LIXINC Part #	NTLJS1102PTBG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTLJS1102PTBG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTLJS1102PTBG Spezifikationen

Artikelnummer:	NTLJS1102PTBG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	8 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	720mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1585 pF @ 4 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-WDFN (2x2)
Paket / Koffer:	6-WDFN Exposed Pad