IPS110N12N3GBKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPS110N12N3GBKMA1 | IPS110N12N3GBKMA1 Inventory, Best Pricing

IPS110N12N3GBKMA1

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Artikelnummer	IPS110N12N3GBKMA1
LIXINC Part #	IPS110N12N3GBKMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPS110N12N3GBKMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPS110N12N3GBKMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPS110N12N3GBKMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	120 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	75A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 83µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4310 pF @ 60 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	136W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO251-3
Paket / Koffer:	TO-251-3 Stub Leads, IPak