SUM18N25-165-E3 | Vishay / Siliconix SUM18N25-165-E3 | SUM18N25-165-E3 Inventory, Best Pricing

SUM18N25-165-E3

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Artikelnummer	SUM18N25-165-E3
LIXINC Part #	SUM18N25-165-E3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SUM18N25-165-E3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SUM18N25-165-E3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SUM18N25-165-E3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	250 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	165mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1950 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.75W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB