SSM3K309T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K309T(TE85L,F) | SSM3K309T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3K309T(TE85L,F)

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SSM3K309T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3K309T(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM3K309T(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SSM3K309T(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM3K309T(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.7A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 4V
rds auf (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 4A, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1020 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TSM
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3