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STB6N62K3

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Artikelnummer	STB6N62K3
LIXINC Part #	STB6N62K3
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STB6N62K3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STB6N62K3 Spezifikationen

Artikelnummer:	STB6N62K3
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	SuperMESH3™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	620 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	875 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	90W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB