IRF6635TRPBF

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Artikelnummer IRF6635TRPBF
LIXINC Part # IRF6635TRPBF
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IRF6635TRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF6635TRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:IRF6635TRPBF
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:HEXFET®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:32A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:71 nC @ 4.5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5970 pF @ 15 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MX

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