SI8424DB-T1-E1 | Vishay / Siliconix SI8424DB-T1-E1 | SI8424DB-T1-E1 Inventory, Best Pricing

SI8424DB-T1-E1

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Artikelnummer	SI8424DB-T1-E1
LIXINC Part #	SI8424DB-T1-E1
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI8424DB-T1-E1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI8424DB-T1-E1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI8424DB-T1-E1
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	8 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 5 V
vgs (max):	±5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1950 pF @ 4 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	4-Microfoot
Paket / Koffer:	4-XFBGA, CSPBGA