IRF8721GPBF | IR (Infineon Technologies) IRF8721GPBF | IRF8721GPBF Inventory, Best Pricing

IRF8721GPBF

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRF8721GPBF
LIXINC Part #	IRF8721GPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF8721GPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRF8721GPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF8721GPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	14A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1040 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)