TK12P60W,RVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

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Artikelnummer	TK12P60W,RVQ
LIXINC Part #	TK12P60W,RVQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK12P60W,RVQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK12P60W,RVQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK12P60W,RVQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	DTMOSIV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 600µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 300 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	100W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63