TK60P03M1,RQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

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Artikelnummer	TK60P03M1,RQ(S
LIXINC Part #	TK60P03M1,RQ(S
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK60P03M1,RQ(S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK60P03M1,RQ(S Spezifikationen

Artikelnummer:	TK60P03M1,RQ(S
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVI-H
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Last Time Buy
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	60A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2700 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	63W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63