SPB21N50C3ATMA1 | IR (Infineon Technologies) SPB21N50C3ATMA1 | SPB21N50C3ATMA1 Inventory, Best Pricing

SPB21N50C3ATMA1

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Artikelnummer	SPB21N50C3ATMA1
LIXINC Part #	SPB21N50C3ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SPB21N50C3ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SPB21N50C3ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SPB21N50C3ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	560 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	21A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	208W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO263-3-2
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB