FDD86102

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Artikelnummer FDD86102
LIXINC Part # FDD86102
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle FDD86102 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDD86102 Spezifikationen

Artikelnummer:FDD86102
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:PowerTrench®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:24mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1035 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.1W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:D-PAK (TO-252)
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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